Yarimo‘tkazgichli asboblar

Bir kristallning bir qismi n-tur, ikkinchisi p-tur bo‘lsa, chegarada elektronlar kovaklarni to‘ldiradi va zaryad tashuvchilari deyarli yo‘q yupqa berkituvchi qatlam hosil bo‘ladi. To‘g‘ri ulanishda (p-soha manbaning musbat, n-soha manfiy qutbiga) qatlam torayadi, tashuvchilar o‘tadi, tok katta; teskari ulanishda (p – manfiy, n – musbat) qatlam kengayadi va tok juda kichik. Shu sababli bitta p–n o‘tishli asbob – yarimo‘tkazgichli diod – tokni asosan bir yo‘nalishda o‘tkazadi (kremniy diodda to‘g‘ri kuchlanish ≈ 0,6–0,7 V dan tok keskin ortadi). Diod o‘zgaruvchan tokni to‘g‘rilashda ishlatiladi: bir yarim davrli to‘g‘rilagich musbat yarim davrda tok o‘tkazadi. Ikki p–n o‘tishli asbob tranzistor (p–n–p yoki n–p–n): uchi emitter, baza, kollektor. Emitter–baza o‘tishi to‘g‘ri, baza–kollektor o‘tishi teskari ulanadi; baza juda yupqa bo‘lgani uchun emitterdan chiqqan tashuvchilarning ko‘pi kollektorga yetadi. Baza tokining kichik o‘zgarishi kollektor tokining katta o‘zgarishiga olib keladi – tok va signal kuchayadi (β = Ik/Ib). Tranzistor va diodlar integral mikrosxemalarda (mikrochiplarda) minglab-milliardlab sonda joylashtiriladi (kompyuter, telefon).